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PSMN1R0-40YLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
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- 描述
- 采用先进的TrenchMOS超结技术、封装为150°C LFPAK56的280A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R0-40YLDX
- 商品编号
- C478226
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 198W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.845nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用先进TrenchMOS超结技术、150°C LFPAK56封装的280 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过认证。
商品特性
- 280 A电流能力
- 雪崩额定值，在IAS = 190 A时进行100%测试
- NextPower-S3技术实现“软恢复超快速开关”
- 低QRR、QG和QGD，适用于高系统效率和低EMI设计
- 肖特基增强型体二极管，实现软开关且无相关高IDSS泄漏
- 采用NextPower-S3超结技术，针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 高可靠性LFPAK（Power SO8）封装，铜夹、焊片连接，工作温度可达150°C
- 外露引脚可进行波峰焊，便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
- 同步整流-DC-DC转换器-高性能、高效率服务器电源-电机控制-电源或门