- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMCM6501VPEZ
1个P沟道 耐压:12V 电流:6.2A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCM6501VPEZ
- 商品编号
- C478231
- 商品封装
- WLCSP-6(1x1.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 556mW；12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、6凸点晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的P沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 低阈值电压
- 超小封装:0.98 x 1.48 x 0.35 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
-电池开关-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路