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PSMN7R5-30MLDX
1个N沟道 耐压:30V 电流:57A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN7R5-30MLDX
- 商品编号
- C478217
- 商品封装
- SOT1210
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关联，但不会出现令人困扰的高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用场景。
商品特性
- 超低的QG、QGD和QOSS，可实现高系统效率，尤其是在较高开关频率下
- 具有软恢复功能的超快速开关；s因子 > 1
- 低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术；在25°C时具有类肖特基性能，漏电流 < 1 μA
- 针对4.5 V栅极驱动进行了优化
- 低寄生电感和电阻
- 采用高可靠性夹片键合和焊片连接的Mini Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C下工作
- 外露引脚便于进行最佳的目视焊锡检查
应用领域
- 服务器和电信设备的板载DC-DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节器模块（VRM）
- 负载点（POL）模块
- V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制