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PSMN4R0-30YLDX
1个N沟道 耐压:30V 电流:95A
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- 描述
- 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 产品组合采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现有问题的高泄漏电流。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN4R0-30YLDX
- 商品编号
- C478172
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.272nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）运用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，实现了通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具备的高效率、低尖峰性能，同时避免了高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。
商品特性
- 超低的QG、QGD和QOSS，确保高系统效率，尤其在较高开关频率下表现出色
- 超快速开关与软恢复特性；s因子 > 1
- 低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术；在25°C时漏电流 < 1 μA，具备类肖特基性能
- 针对4.5 V栅极驱动优化
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性的夹片键合和焊片连接Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C环境下使用
- 可波峰焊；外露引脚便于进行最佳的焊接外观检查
应用领域
- 服务器和电信设备的板载DC - DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节模块（VRM）
- 负载点（POL）模块
- V核心、ASIC、DDR、GPU、VGA及系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制