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PMZ350UPEYL实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMZ350UPEYL

1个P沟道 耐压:20V 电流:1.4A

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描述
P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无铅超小型OFN1006-3(SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMZ350UPEYL
商品编号
C478207
商品封装
X1-DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.4A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@4.5V,0.3A
耗散功率(Pd)360mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))950mV
栅极电荷量(Qg)1.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)127pF@10V
反向传输电容(Crss)25pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽式MOSFET技术、无引脚超小型DFN1006-3(SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 沟槽式MOSFET技术
  • 低阈值电压
  • 极快速开关
  • 静电放电(ESD)保护 >1.8 kV HBM
  • 无引脚超小型SMD塑料封装:1.0 × 0.6 × 0.48 mm

应用领域

  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 高端负载开关
  • 开关电路

数据手册PDF