温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMDT290UCE,115
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:800mA 电流:550mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDT290UCE,115
- 商品编号
- C478202
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA；550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 680pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@10V；12pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的互补N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 高达2 kV的静电放电（ESD）保护
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路