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BUK9K29-100E,115
2个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 双逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，采用LFPAK56D封装。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K29-100E,115
- 商品编号
- C478189
- 商品封装
- LFPAK56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.727nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 169pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、封装为LFPAK56D的双逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已根据AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求较高的环境
- 在175°C时，VGS(th) > 0.5 V，为真正的逻辑电平栅极
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 启停微混合动力应用
- 变速器控制
- 超高性能电源开关