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PSMN011-30YLC,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:37A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN011-30YLC,115
- 商品编号
- C478165
- 商品封装
- PowerSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.6mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 641pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证，适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 高可靠性Power SO8封装，可在175°C环境下使用
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术，针对4.5V栅极驱动进行优化
- 超低QG、QGD和QOSS，可在高低负载下实现高系统效率
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 同步降压稳压器