温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV37EN2R
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV37EN2R
- 商品编号
- C478164
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 510mW；5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 增强型功率耗散能力达1115 mW
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
- PSMN011-30YLC,115
- BUK7608-40B,118
- PSMN4R0-30YLDX
- PSMN4R0-60YS,115
- PSMN5R0-80PS,127
- PSMN7R5-60YLX
- BUK7Y65-100EX
- NX138AKSX
- BUK9K29-100E,115
- PESD5V0S1BSF,315
- PESD5V0U5BF,115
- 74AVC2T45DP,125
- PESD5V0S1USF,315
- PZU5.1B2A,115
- PESD3V3X1BCSFYL
- PESD3V3Z1BCSFYL
- PIMD3,115
- PESD5V0X2UMBYL
- 74LVC2G74DC,125
- 74AVCH8T245PW:118
- BZT52H-B24,115