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PMV50EPEAR
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV50EPEAR
- 商品编号
- C478012
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,4.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 793pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 > 2 kV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路