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PSMN075-100MSEX

1个N沟道耐压:100V 电流:18A

描述: 新的标准和专有方法正推动着下一代以太网供电（PoE）系统的发展，该系统能够为每个受电设备（PD）提供高达 100W 的功率。例如，大屏幕液晶显示器、3G/4G/Wi-Fi 热点和云台变焦监控摄像机，对供电设备（PSE）在“软启动”程序、短路耐受性、热管理和功率密度方面提出了更高要求。PSMN075 - 100MSE 专为配合最新的 PoE 控制器而设计，在经济高效、符合行业标准的 LFPAK33 封装中，兼具卓越的线性模式操作性能和极低的导通电阻 RDS(on)
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN075-100MSEX
商品编号: C478016
商品封装: LFPAK33-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.062克(g)

商品参数

商品概述

新的标准和专有方法正推动着下一代以太网供电 (PoE) 系统的发展，该系统能够为每个受电设备 (PD) 提供高达 100W 的功率。例如，大屏幕 LCD 显示器、3G/4G/Wi-Fi 热点以及云台变焦闭路电视摄像机，对供电设备 (PSE) 在“软启动”程序、抗短路能力、热管理和功率密度方面提出了更高的要求。PSMN075 - 100MSE 专为配合最新的 PoE 控制器而设计，在经济高效且符合行业标准的 LFPAK33 封装中，兼具出色的线性模式操作性能和极低的导通电阻 RDS(on)。

商品特性

增强的正向偏置安全工作区，实现卓越的线性模式操作
低导通电阻 Rdson，降低传导损耗
超可靠的 LFPAK33 封装 – 无胶水、无引线，175°C 时的 IDSS

应用领域

IEEE802.3at 和专有解决方案 – (类型 2)
适用于高达 30W 的 PoE 应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	71mΩ@10V,5A
	耗散功率(Pd)	65W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.3V
	栅极电荷量(Qg)	16.4nC@10V
	输入电容(Ciss)	773pF@50V
	反向传输电容(Crss)	48pF@50V
	工作温度	-55℃~+175℃