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NX7002BKSX
2个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX7002BKSX
- 商品编号
- C478153
- 商品封装
- TSSOP-6-1.3mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.6pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于超小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 超快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路