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PMPB11EN,115
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用无引脚中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB11EN,115
- 商品编号
- C478162
- 商品封装
- DFN-6-MD(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 极快的开关速度
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
- 镀锡侧焊盘，可100%焊接，便于光学焊接检测
应用领域
- 便携式设备充电开关
- DC - DC转换器
- 电池供电便携式设备的电源管理
- 硬盘和计算机电源管理
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