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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMDXB600UNELZ

2个N沟道 耐压:20V 电流:600mA

品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMDXB600UNELZ
商品编号
C478119
商品封装
DFN1010B-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))470mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)265mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))450mV
栅极电荷量(Qg)700pC@4.5V
输入电容(Ciss)21.3pF
反向传输电容(Crss)4.2pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管(FET),封装为无引脚超小型DFN1010B - 6(SOT1216)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 低泄漏电流
  • 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色
  • 静电放电(ESD)保护 >1 kV HBM
  • 漏源导通电阻RDSon = 470 mΩ

应用领域

  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 低端负载开关
  • 开关电路

数据手册PDF