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PMDPB30XN,115
2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于小型无引脚超薄DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDPB30XN,115
- 商品编号
- C478009
- 商品封装
- DFN2020-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型无引脚超薄DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
应用领域
- 便携式设备充电开关-直流-直流转换器-小型无刷直流电机驱动-电池供电便携式设备的电源管理-硬盘和计算机电源管理