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PE42442A-Z

30MHz-6GHzUltraCMOSSP4T射频开关

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描述: PE42442是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关，设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有四个对称的射频端口，最高工作频率可达6GHz，并且集成了CMOS解码器，支持1.8VCMOS控制接口。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE42442A-Z
商品编号: C470913
商品封装: QFN-24-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.074克(g)

商品概述

PE42442是一款采用HaRP技术增强的吸收式单刀四掷（SP4T）射频开关，专为3G/4G无线基础设施及其他高性能射频应用而设计。该开关是PE42451的引脚兼容四掷版本，具有更宽的频率和电源范围。它由四个对称的射频端口组成，在高达6 GHz的频率下具有极高的隔离度。集成的CMOS解码器支持两引脚或三引脚的1.8V CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则无需外部隔直电容。 PE42442采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。 Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

商品特性

四个对称的吸收式射频端口
900 MHz时为61 dB，2100 MHz时为55 dB，2700 MHz时为52 dB，4000 MHz时为43 dB，6000 MHz时为32 dB
高线性度
二阶输入截点（IIP2）为97 dBm，三阶输入截点（IIP3）为58 dBm
与1.8V控制逻辑兼容
工作温度为105 ℃
快速切换时间为255 ns
两引脚或三引脚CMOS逻辑控制
可选外部负电源
静电放电（ESD）性能
射频引脚到地的人体模型（HBM）静电放电耐压为4 kV
所有引脚的人体模型（HBM）静电放电耐压为2 kV

应用领域

3G/4G无线基础设施
其他高性能射频应用

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	30MHz~6GHz
	隔离度	61dB

	属性	参数值
	插入损耗	2.35dB
	工作电压	3.3V
	工作温度	-40℃~+105℃