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PE42553B-Z
超宽带SPDT射频开关，9kHz-8GHz
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- 描述
- PE42553是一款增强型吸收式SPDT射频开关，支持广泛的频率范围和其他高性能无线应用。它具有改进的功率处理能力，连续波(CW)为36dBm，脉冲功率在50Ω@8GHz时为38dBm。无需阻断电容器即可正常工作。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42553B-Z
- 商品编号
- C471160
- 商品封装
- QFN-16-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 9kHz~8GHz | |
| 隔离度 | 41dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.05dB | |
| 工作电压 | 2.3V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
PE42553是一款采用HaRPTM技术增强的吸收式单刀双掷（SPDT）射频开关，支持9 kHz至8 GHz的宽频率范围。这款通用开关具备出色的线性度、高射频性能和快速稳定时间，使其非常适合测试与测量（T&M）、自动化测试设备（ATE）及其他高性能无线应用。 PE42553与PE42552引脚兼容，在8 GHz、50Ω条件下，其连续波（CW）功率处理能力提升至36 dBm，脉冲功率处理能力提升至38 dBm。若射频端口无直流电压，则无需隔直电容。PE42553采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 出色的功率处理能力：在8 GHz、50Ω条件下，连续波功率为36 dBm，脉冲功率为38 dBm；高线性度：三阶交调截点（IIP3）为66 dBm
- 高隔离度：在3 GHz时为45 dB，在8 GHz时为41 dB
- HaRP技术增强：快速稳定时间，无栅极和相位滞后，插入损耗和相位无漂移
- 高静电放电（ESD）性能：所有引脚的人体模型（HBM）静电放电能力为2.5 kV，射频引脚到地的HBM静电放电能力为4 kV，所有引脚的充电器件模型（CDM）静电放电能力为1 kV
- 封装形式：16引脚3×3 mm QFN
应用领域
- 测试与测量：信号源、通信测试仪、频谱分析仪、网络分析仪
- 自动化测试设备
- 通用发射/接收（TX/RX）开关