PE45361A-X
10MHz-6GHz高性能功率限制器
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- 描述
- PE45361是一款增强型HaRPTM技术的功率限制器,适用于高性能功率应用。与传统的PIN二极管解决方案不同,PE45361实现了可调输入1dB压缩点或限幅阈值,无需外部偏置组件。它在非限幅功率水平下提供低插入损耗和高线性度,并在限幅事件中具有极快的响应时间,确保敏感电路的保护。还提供了出色的ESD评级和ESD保护。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE45361A-X
- 商品编号
- C471173
- 商品封装
- QFN-12-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频卡芯片 | |
| 协议 | - | |
| 接口类型 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频率 | 10MHz~6GHz | |
| 工作电压 | 0V~3.6V |
商品概述
PE45361是一款采用HaRP™技术增强的功率限幅器,专为测试测量设备、无线基础设施收发器和天线中的高性能功率限幅应用而设计。 与传统的PIN二极管解决方案不同,PE45361通过低电流控制电压(V_CTRL)实现可调节的输入1dB压缩点或限幅阈值,无需使用隔直电容、射频扼流电感和偏置电阻等外部偏置元件。 在非限幅功率水平下,它具有低插入损耗和高线性度;在限幅事件中,响应时间极快,可确保对敏感电路的保护。此外,它还具有出色的静电放电(ESD)额定值和ESD保护性能。 PE45361采用Peregrine的UltraCMOS®工艺制造,这是一种获得专利的先进绝缘体上硅(SOI)技术,兼具砷化镓(GaAs)的性能以及传统互补金属氧化物半导体(CMOS)的经济性和集成度。
商品特性
- 单片式直接替换解决方案,无需外部偏置元件
- 低功率限幅阈值可在+7 dBm至+13 dBm范围内调节
- 最大功率处理能力高,可达50 dBm(脉冲功率100W)
- 阈值控制电压为+0V至+0.3V
- 响应时间快,小于1 ns
- 封装形式:12引脚3×3×0.5 mm ΠQFN
应用领域
- 无线基础设施收发器和天线
- 测试与测量(T&M)
优惠活动
购买数量
(500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交9单

