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DOD68N06
SGT工艺/N管/60V/68A/10MΩ/(典型7.5MΩ)
- 描述
- SGT工艺/60V/68A/10mΩ/(典型7.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD68N06
- 商品编号
- C45385099
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45672克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.024nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194.1pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 65 A，在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ，典型值为4.3 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型产品可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为3级