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DOD65N04
SGT工艺/N管/40V/65A/5MΩ/(典型4.3MΩ)
- 描述
- SGT工艺/40V/65A/5mΩ/(典型4.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD65N04
- 商品编号
- C45385097
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4336克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 902pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 567pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 65 A,在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ,典型值为4.3 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型产品可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为3级
应用领域
- 电动工具
- 不间断电源（UPS）
- 电机控制