温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK2009(TE85L,F)
1个N沟道 耐压:30V 电流:200mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高输入阻抗。 低栅极阈值电压：Vth = 0.5至1.5V。 出色的开关时间：ton = 0.06μs（典型值），toff = 0.12μs（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）。 小封装。 增强模式。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK2009(TE85L,F)
- 商品编号
- C4153760
- 商品封装
- TO-236-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@0.1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 70pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@3V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交9单
相似推荐
其他推荐
- 2SK3564,S5Q(J
- TPH1R204PL,L1Q(M
- TPN2R304PL,L1Q(M
- TPH4R50ANH1,L1Q(M
- TPH4R606NH,L1Q(M
- TPCC8104,L1Q(CM
- TK2A65D(STA4,Q,M)
- TK25N60X,S1F(S
- TK5P60W,RVQ(S
- TK4A60D(STA4,Q,M)
- TK12A50D(STA4,X,S)
- TK12A60D(STA4,Q,M)
- TK13A65U(STA4,X,M)
- TK14A65W,S5X(M
- TK16A60W,S4VX(M
- TK20A60W,S5VX(M
- TK3R1E04PL,S1X(S
- TK39A60W,S4VX(M
- TK72E12N1,S1X(S
- TK16V60W,LVQ(S