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TK14A65W,S5X(M
1个N沟道 耐压:650V 电流:13.7A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.22Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5至3.5V，VDS = 10V，ID = 0.69mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK14A65W,S5X(M
- 商品编号
- C4153805
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.69mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 采用CRM（CQ）先进SkyMOS4技术
- 极低导通电阻RDS（on）
- 出色的Qg × RDS（on）乘积（品质因数FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 交直流快速充电器同步整流
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）