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TPH4R606NH,L1Q(M
N沟道 耐压:60V 电流:85A
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- 描述
- 特性：小尺寸薄封装，占用空间小。高速开关。小栅极电荷：QSW = 19 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.8 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：开关稳压器。电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH4R606NH,L1Q(M
- 商品编号
- C4153795
- 商品封装
- SOP-8-EP-5.0mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.257172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@6.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.5mA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.965nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 100μA（最大值）（VDS = 650V）
- 增强型：Vth = 3.0 至 5.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）
应用领域
- 开关稳压器应用