TPWR8004PL,L1Q(M
硅N沟道MOS(U-MOSIX-H)
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- 描述
- 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 23 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 85.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.65 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPWR8004PL,L1Q(M
- 商品编号
- C4153796
- 商品封装
- DSOP-8-EP-5.0mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | FET | |
| 输出电流 | 150A | |
| 负载电压 | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 上升时间(tr) | 13ns | |
| 下降时间 | 14ns | |
| 总功耗(Pd) | 170W |
商品特性
- 改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 具有完整特性的电容和雪崩安全工作区 (SOA)
- 增强体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS) 中的高效同步整流
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路
