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TK20A60W,S5VX(M
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.13Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK20A60W,S5VX(M
- 商品编号
- C4153807
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻 (RDS(on))
- 低栅极电荷（典型值：栅极电荷 (Qg) = 20.7 nC）
- 100% 经过单脉冲雪崩耐量 (UIS) 测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器