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TK16V60W,LVQ(S
N沟道MOS管
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 0.79mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK16V60W,LVQ(S
- 商品编号
- C4153847
- 商品封装
- DFN-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.252克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 快速本征二极管
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关（UIS）额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源-直流-直流转换器-激光驱动器-交流和直流电机控制-机器人技术和伺服控制