- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK12A60D(STA4,Q,M)
硅N沟道MOS场效应晶体管，适用于开关稳压器应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A60D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C4153803
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 0.45Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.5S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 600V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-开关稳压器应用
- TK13A65U(STA4,X,M)
- TK14A65W,S5X(M
- TK16A60W,S4VX(M
- TK20A60W,S5VX(M
- TK3R1E04PL,S1X(S
- TK39A60W,S4VX(M
- TK72E12N1,S1X(S
- TK20A60U(STA4,X,M)
- TC4S584F,LF
- 74VHC08FT(BE)
- 74VHC14FT(BJ)
- 74VHC157FT(BJ)
- TC7W66FK(TE85L,F)
- TC7S08FU(TE85L,F)
- TC7SZU04F,LJ(CT
- TC7SH04FU,LJ(CT
- TC7SH08FU(TE85L,JF
- TC7SH32FU,LJ(CT
- TC74HC4051AF(EL,F)
- TB6586AFG(C8OEL,HZ
- TB6674FG(Z,8,EL)