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TK12A60D(STA4,Q,M)
TK12A60D(STA4,Q,M)
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12A60D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C4153803
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 0.45Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.5S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 600V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-开关稳压器应用