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TPN2R304PL,L1Q(M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPN2R304PL,L1Q(M

硅N沟道MOSFET,高速开关,适用于高效DC-DC转换器

品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPN2R304PL,L1Q(M
商品编号
C4153793
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.07克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)41nC
输入电容(Ciss)2.75nF
反向传输电容(Crss)66pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)650pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 高速开关
  • 栅极电荷小:QSW = 10.8 nC(典型值)
  • 输出电荷小:Qoss = 27 nC(典型值)
  • 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 1.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 泄漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)
  • 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)

应用领域

  • 高效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器

数据手册PDF