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FDB0190N807L
1个N沟道 耐压:80V 电流:270A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB0190N807L
- 商品编号
- C462725
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,34A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 249nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 19.11nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色的耐用性和开关性能的同时，最大程度降低导通电阻，适用于工业应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 34 A时，最大rDS(on) = 1.7 mΩ
- 在VGS = 8 V、ID = 31 A时，最大rDS(on) = 2 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 工业电机驱动
- 工业电源
- 工业自动化
- 电池供电工具
- 电池保护
- 太阳能逆变器
- UPS和能量逆变器
- 能量存储
- 负载开关