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FCH25N60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
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- 描述
- N沟道,600V,25A,126mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH25N60N
- 商品编号
- C462723
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 126mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 216W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.352nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPREMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和耐用性。SUPREMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12.5 A时，RDS(on) = 108 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 57 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 262 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 交流-直流电源