A3921KLPTR-T

A3921是一款全桥控制器，可与外部N沟道功率MOSFET配合使用，专门为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机。 独特的电荷泵稳压器可为低至7 V的电池电压提供全（>10 V）栅极驱动，并允许A3921在低至5.5 V的降低栅极驱动下工作。 自举电容用于为N沟道MOSFET提供高于电池的电源电压。高端驱动的内部电荷泵允许直流（100%占空比）操作。 全桥可使用二极管或同步整流在快速或慢速衰减模式下驱动。在慢速衰减模式下，电流可通过高端或低端FET进行再循环。功率FET通过可调节电阻的死区时间来防止直通。 集成诊断功能可指示欠压、过温和功率桥故障，并可配置为在大多数短路情况下保护功率MOSFET。 A3921采用带有外露散热焊盘的28引脚TSSOP功率封装（后缀LP）。该封装无铅（Pb），引脚框架采用100%雾锡电镀。

A3921是一款全桥MOSFET驱动器（预驱动器），需要一个7至50 V的单路非稳压电源。它包含一个集成的5 V逻辑电源稳压器。 四个高电流栅极驱动器能够驱动各种N沟道功率MOSFET，并配置为两个高端驱动器和两个低端驱动器。A3921提供所有必要的电路，以确保在电源电压低至7 V时，高端和低端外部FET的栅源电压均高于10 V。在极端电池电压下降的情况下，保证在低至5.5 V的电源电压下正常工作，但栅极驱动电压会降低。 A3921可由微控制器的单个PWM输入驱动，并可配置为快速或慢速衰减模式。快速衰减可实现四象限电机控制，而慢速衰减适用于两象限电机控制或简单的感性负载。在慢速衰减模式下，电流可通过高端或低端MOSFET进行再循环。在这两种情况下，都可通过同步整流提高电桥效率。通过可调死区时间可避免外部电桥中的交叉导通（直通）。 低功耗睡眠模式允许A3921、功率桥和负载保持连接到车辆电池电源，而无需额外的电源开关。 A3921具备多种保护功能，可防止欠压、过温和功率桥故障。故障状态可使器件或外部控制器做出响应，具体取决于故障情况和逻辑设置。提供两个故障标志输出FF1和FF2，用于向外部控制器发出检测到的故障信号。

A3921在7至50 V的VBB电源下可在指定参数范围内工作，在低至5.5 V的电源下也能正常工作。这为恶劣的汽车环境提供了非常可靠的解决方案。

• 用于N沟道MOSFET全桥的高电流栅极驱动
• 高端或低端PWM开关
• 用于低电源电压操作的电荷泵
• 用于100% PWM的补充电荷泵
• 带可调死区时间的交叉导通保护
• 5.5至50 V电源电压范围
• 集成5 V稳压器
• 诊断输出
• 低电流睡眠模式
• 通过AEC-Q100认证