A4957SESTR-T

A4957是一款全桥控制器，可与外部N沟道功率MOSFET配合使用，专门为驱动有刷直流电机等高功率感性负载的应用而设计。 独特的电荷泵稳压器可为低至7 V的电池电压提供全电压（>10 V）栅极驱动，并允许A4957在低至4.5 V的降低栅极驱动电压下工作。 自举电容用于提供N沟道MOSFET所需的高于电池电源的电压。独特的自举电荷管理系统确保自举电容始终有足够的电量，为高端栅极驱动电路供电。 每个功率MOSFET都可独立控制，但通过外部电阻由用户配置的死区时间，可防止所有MOSFET发生直通现象。 集成诊断功能可指示欠压和过热故障。 A4957采用24引脚、4 mmx4 mmx0.75 mm的QFN封装，带有外露焊盘以增强散热性能。该产品无铅（Pb），采用100%雾锡引脚框架电镀（后缀 -T）。

A4957是一款全桥MOSFET驱动器（预驱动器），需要7至50 V的非稳压电源和3至4.5 V的逻辑电源。 四个栅极驱动器能够驱动各种N沟道功率MOSFET，配置为两个高端驱动器和两个低端驱动器。A4957提供所有必要的电路，确保在电源电压低至7 V时，高端和低端外部MOSFET的栅源电压均高于10 V。在电池电压极端下降的情况下，保证在低至4.5 V的电源电压下仍能正常工作，但栅极驱动电压会降低。 A4957在微控制器的逻辑电平输出与全桥配置的N沟道功率MOSFET的高电流、高电压栅极驱动之间提供接口。通常，功率全桥用于有刷直流电机控制或其他大电流电感负载。桥中的每个MOSFET由一个独立的逻辑电平输入控制，该输入与3.3 V或5 V逻辑输出兼容。通过可调节的死区时间避免外部桥中的交叉导通（直通）。 低功耗睡眠模式允许A4957、功率桥和负载保持与车辆电池电源的连接，无需额外的电源开关。 A4957提供单个故障标志，用于指示欠压和过热情况。

需要两个电源连接，一个用于逻辑接口，另一个用于模拟和输出驱动部分。连接到VDD的逻辑电源允许使用3.3 V或5 V逻辑接口。主电源应通过反向电压保护电路连接到VBB。两个电源都应使用靠近电源和接地引脚连接的陶瓷电容进行去耦。 A4957在7至50 V的VBB电源下可在规定参数范围内工作，在低至4.5 V的电源电压下也能正常工作。这为恶劣环境下的应用提供了非常可靠的解决方案。

A4957旨在驱动外部低导通电阻的N沟道功率MOSFET。它提供快速对外部MOSFET栅极电容进行充放电所需的大瞬态电流，以减少开关期间MOSFET的功耗。充放电速率可通过与MOSFET栅极连接的外部电阻进行控制。 栅极驱动电压调节：栅极驱动器由内部稳压器供电，该稳压器限制驱动器的电源，从而限制最大栅极电压。当VBB电源大于约16 V时，稳压器为简单的线性稳压器。低于16 V时，通过电荷泵升压转换器维持稳压电源，该转换器需要在CP1和CP2引脚之间连接一个泵电容。该电容的最小值必须为220 nF，通常为470 nF。 典型值为13 V的稳压电压可从VREG引脚获取。必须在该引脚连接一个足够大的存储电容，为低端驱动器和自举电容提供瞬态充电电流。

• 用于N沟道MOSFET全桥的大电流栅极驱动
• 每个MOSFET独立控制
• 支持低电源电压工作的电荷泵
• 带可调节死区时间的交叉导通保护
• 4.5至50 V的电源电压范围
• 诊断输出
• 低电流睡眠模式