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A3985SLDTR-T实物图
  • A3985SLDTR-T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

A3985SLDTR-T

集成电路/传感器芯片

商品型号
A3985SLDTR-T
商品编号
C459281
商品封装
TSSOP-38​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
工作电压-
属性参数值
接口类型SPI
工作温度-20℃~+85℃

商品概述

A3985是一款灵活的双全桥栅极驱动器,适用于驱动各种高功率工业双极性两相步进电机或两相无刷直流电机。它还可用于驱动两个独立的转矩电机或螺线管执行器。电机功率由外部N沟道功率MOSFET提供,电源电压范围为12至50 V。 通过两个可串行访问的寄存器实现全数字控制,可对关断时间、消隐时间、死区时间、混合衰减比、同步整流、主时钟源选择、分频比和空闲模式进行编程。所有内部时序均源自主时钟,该主时钟可在芯片上生成,也可由外部时钟(如主控制器的系统时钟)提供。可编程分频器支持广泛的外部系统时钟频率。 内部固定关断时间PWM电流控制时序通过串行接口进行编程,可在慢速、快速和混合电流衰减模式下运行。所需的负载电流水平和方向通过串口设置,使用一个方向位和两个6位线性DAC,并结合参考电压。7位控制为各种步进方法(从微步进驱动到全步进驱动)的转矩控制提供了最大的灵活性。外部功率MOSFET全桥中的负载电流以最大值的1.56%为增量进行设置。 高端N沟道MOSFET所需的高于电源的电压由自举电容提供。通过使用同步整流提高了效率,并且集成的交叉控制和可编程死区时间可防止功率FET发生直通现象。 除了交叉电流控制外,内部电路保护还提供带迟滞功能的热关断和欠压锁定。无需特殊的上电时序。该器件采用38引脚TSSOP(封装LD)封装,引脚框架采用100%雾锡电镀。 A3985是一款高度可配置的双全桥FET驱动器,内置数字电流控制功能。所有功能均可通过简单的SPI(串行外设接口)兼容串口访问,只需三根线即可控制多个电机。 由于全桥控制电路是独立控制的,A3985可用于驱动两相双极性步进电机和两相无刷直流(BLDC)电机。两个外部功率全桥(均为N沟道MOSFET)中的电流由固定关断时间PWM控制电路调节。每一步的全桥电流由连接到桥的接地端的外部电流检测电阻R_SENSEX的值、参考电压V_REF以及由串行数据控制的DAC输出设置。 使用N沟道MOSFET的PWM为高效电机驱动提供了最具成本效益的解决方案。A3985提供了所有必要的电路,以确保高端和低端外部MOSFET的栅源电压高于10 V,并且外部桥中不会发生直通现象。 需要两个电源连接。电机电源应连接到VBB以提供栅极驱动电平。内部逻辑的电源由VDD输入提供。内部逻辑设计为在3至5.5 V电压下工作,允许使用3.3 V或5 V的外部逻辑接口电路。 GND 接地引脚是内部逻辑和模拟电路的参考电压。该引脚没有大电流流过。为避免开关电路产生的任何噪声,该引脚应通过独立走线连接到电源接地星点。

商品特性

  • 用于全数字控制的串行接口
  • 用于N沟道MOSFET的双全桥栅极驱动
  • 双6位DAC电流参考
  • 在12至50 V电源电压范围内工作
  • 同步整流
  • 交叉导通保护
  • 可调混合衰减
  • 固定关断时间PWM电流控制
  • 低电流空闲模式

数据手册PDF