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STP36NF06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- N沟道60V - 0.032 Ohm - 30A TO-220 STRIPFET(TM) II MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP36NF06L
- 商品编号
- C457465
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，并且光刻对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用