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STF15NM65N
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 特性：100%雪崩测试。 低输入电容和栅极电荷。 低栅极输入电阻。应用：开关应用
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF15NM65N
- 商品编号
- C457467
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，可实现低导通电阻和低栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和低栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用