STGW80H65DFB
耐压:650V 电流:120A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STGW80H65DFB商品编号
C457471商品封装
TO-247S包装方式
管装
商品毛重
6.9克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | FS(场截止) | |
集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
集电极电流(Ic) | 120A | |
功率(Pd) | 469W | |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,80A | |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 414nC |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
开启延迟时间(Td(on)) | 84ns | |
关断延迟时间(Td(off)) | 280ns | |
导通损耗(Eon) | 2.1mJ | |
关断损耗(Eoff) | 1.5mJ | |
反向恢复时间(Trr) | 85ns | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+¥27.612¥53.1
10+¥23.998¥46.15
30+¥21.7932¥41.91¥1257.3
90+¥19.942¥38.35¥1150.5
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
402
江苏仓
0
SMT仓
402
购买数量(30个/管,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个30个/管
近期成交3单
精选推荐