ESE40P70K
P沟道，-40V，-80A，6.7mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@4.5V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESE40P70K
- 商品编号
- C42420749
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 81.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF@20V |
商品概述
ESE40P70K是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESE40P70K为无铅产品。
商品特性
- -40V，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 6.7 mΩ（典型值）@VGS=-10V
- 导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 8.5 mΩ（典型值）@VGS = -4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换