温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ESEP4045GU
N沟道，40V，59A，5.5mΩ@10V,30A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESEP4045GU
- 商品编号
- C42420756
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.223547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF |
商品概述
ESEP4045GU是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESEP4045GU为无铅产品。
商品特性
- 40V,RDS(ON) = 5.5 m Ω(典型值)@VGS=10V
- RDS(ON) = 7.7 m Ω(典型值)@VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换