- 引脚图
- 焊盘图
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VBA4625
VBA4625
- 描述
- SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-8.5A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款双P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统和工业自动化等多种领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA4625
- 商品编号
- C42412404
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
-负载开关