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VBQF2311
VBQF2311
- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-30A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=-1.2~-2.5V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于许多不同的应用领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF2311
- 商品编号
- C42412402
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关