- 引脚图
- 焊盘图
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VBQF2311
P沟道 30V 30A
- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-30A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=-1.2~-2.5V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于许多不同的应用领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF2311
- 商品编号
- C42412402
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 312pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-笔记本电脑电池充电-笔记本电脑适配器开关