- 引脚图
- 焊盘图
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VBA2152M
VBA2152M
- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-150V；-2.8A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种功率电路设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA2152M
- 商品编号
- C42412403
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载开关(UIS)测试
应用领域
-中间DC/DC电源中的有源钳位-照明应用中的H桥高端开关