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VBL2406实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBL2406

VBL2406

描述
TO263;P—Channel沟道,-40V;-110A;RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2~-4V;是一款单路P型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中。
商品型号
VBL2406
商品编号
C42412401
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))4.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)185nC
输入电容(Ciss)11.3nF
反向传输电容(Crss)1nF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)1.51nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • P沟道MOSFET

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域

数据手册PDF