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STD10NM60ND-VB实物图
  • STD10NM60ND-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STD10NM60ND-VB

STD10NM60ND-VB

描述
TO252;N—Channel沟道,650V;9A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3~4V;是一款单N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
商品型号
STD10NM60ND-VB
商品编号
C42412398
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

~~- 提供无卤选项-沟槽功率MOSFET

数据手册PDF