STD10NM60ND-VB
STD10NM60ND-VB
- 描述
- TO252;N—Channel沟道,650V;9A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3~4V;是一款单N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD10NM60ND-VB
- 商品编号
- C42412398
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
~~- 提供无卤选项-沟槽功率MOSFET
