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SI2304DDS-T1-GE3(ES)
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 描述
- SI2304DDS-T1-GE3(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2304DDS-T1-GE3(ES)
- 商品编号
- C42412336
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0326克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
SI2304DDS-T1-GE3(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SI2304DDS-T1-GE3(ES)为无铅产品。
商品特性
- 30V,RDS(ON) = 21 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 25 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换
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