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AON6407(ES)
P沟道，-30V,，-100A，2.8mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AON6407(ES)
- 商品编号
- C42412354
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17972克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V；3.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.456nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 660pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 880pF |
商品概述
AON6407(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AON6407(ES)为无铅产品。
商品特性
- -30V,RDS(ON) = 2.8 m Ω(典型值),VGS = -10 V
- RDS(ON) = 3.8 m Ω(典型值),VGS = -4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换
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