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ESGNH10R17
N沟道，100V，46A，12mΩ@10V,20A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- ESGNH10R17 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESGNH10R17
- 商品编号
- C42412350
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
ESGNH10R17是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESGNH10R17为无铅产品。
商品特性
- 100V，栅源电压（VGS） = 10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 12.0mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 14.5mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换