温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBMB195R06
VBMB195R06
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,950V；6A；RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道功率MOSFET，适用于各种工业和电子设备中的功率控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB195R06
- 商品编号
- C42412381
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) 导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明