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FQD7N30TM-VB
FQD7N30TM-VB
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；9A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~4V；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQD7N30TM-VB
- 商品编号
- C42412387
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100% R9和UIS测试
应用领域
- 中间直流/直流电源中的有源钳位-照明应用中的H桥高端开关