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PHX10N40E-VB实物图
  • PHX10N40E-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PHX10N40E-VB

PHX10N40E-VB

描述
TO252;N—Channel沟道,650V;9A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3~4V;是一款单N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
商品型号
PHX10N40E-VB
商品编号
C42412392
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET

应用领域

  • 负载开关

数据手册PDF