PHX10N40E-VB
PHX10N40E-VB
- 描述
- TO252;N—Channel沟道,650V;9A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3~4V;是一款单N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHX10N40E-VB
- 商品编号
- C42412392
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
应用领域
- 负载开关
