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HMS8N60K-VB
HMS8N60K-VB
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；9A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~4V；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HMS8N60K-VB
- 商品编号
- C42412389
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域